Liste elektrischer Bauelemente

Dieser Artikel listet elektrische bzw. elektronische Bauelemente auf (auch Bauteile genannt), die man für Schaltungen in der Elektrotechnik bzw. Elektronik benötigt.

Verschiedene elektronische Bauelemente

Grundbausteine

Elektrische Leitungen

  • Leiterplatten
  • Kabel, Koaxialkabel
  • Streifenleitung
  • Lecher-Leitung
  • Supraleiter
  • Wellenleiter
    • Hohlleiter
    • Bestandteile von Antennen (Antennenelemente)
    • Goubau-Leitung
    • Zirkulator

Elektromechanische Bauelemente

Bauelemente zum Trennen und Verbinden von Leitungen

  • Einphasen-Haushaltsstecksysteme
  • Ein- und Mehrphasen-Niederspannungssysteme
  • Kleinspannungsstecker
  • Labor-Steckverbinder
  • Audio-Steckverbinder
  • Videosignal-Steckverbinder
  • Hochfrequenz-Steckverbinder
  • Daten-Steckverbinder
  • Telefon-Steckverbinder
  • LWL-Steckverbinder

Bauelemente für die Stromversorgung

Bauelemente für die Frequenzerzeugung

MEMS-Bauelemente

Energiequellen im engeren Sinn

  • Dioden (außer Optoelektronik)
  • Transistoren
    • Transistoren, die auf einem Potentialeffekt basieren:
      • Bipolare Transistoren
        • Bipolartransistor (engl. bipolar junction transistor, BJT)
          • Spitzentransistor (engl. point-contact transistor)
          • Darlington-Transistor (engl. Darlington transistor bzw. Darlington amplifier)
          • gezogener Transistor (auch „Wachstumstransistor“, engl. grown-junction transistor)[1]
          • Legierungstransistor (engl. alloy junction transistor)
            • Mikrolegierungstransistor (engl. micro-alloy transistor, MAT)
            • Drifttransistor (engl. drift transistor), auch: (drift-field transistor, DFT) oder (graded-base transistor)
          • Oberflächensperrschichttransistor (engl. surface barrier transistor)
            • MAD-Transistor (engl. micro-alloy diffused transistor, MADT)
          • Diffusionstransistor (engl. diffusion transistor), durch Diffusion eingebrachte Dotierungen, sowohl bei BJT als auch FET****** PAD-Transistor (engl. post-alloy diffused transistor, PADT)
          • Schottky-Transistor (engl. schottky transistor)
          • „Transistor mit diffundierter Basis“ (engl. diffused base transistor)
          • Bipolarer Leistungstransistor (engl. bipolar power transistor)
        • heterojunction bipolar transistor (HBT bzw. HBJT)
        • double-heterojunction bipolar transistor (DHBT)
        • tunneling-emitter bipolar transistor
        • Lawinentransistor (engl. avalanche transistor), eigentlich (engl. avalanche bipolar transistor) (ABT)
          • V-groove insulated-gate avalanche transistor (VIGAT)
      • tunneling hot-electron-transfer amplifier (THETA)
        • metal-base transistor
          • metal-insulator-metal-insulator-metal (MIMIM) transistor
            • metal-oxide metal-oxide-metal (MOMOM) transistor
          • metal-insulator-metal-semiconductor (MIMS) transistor
            • metal-oxide-metal-semiconductor (MOMS) transistor
          • semiconductor-metal-semiconductor transistor (SMST) transistor
          • metal-insulator-p-n (MIp-n) transistor
            • metal-oxide-p-n (Mop-n) transistor
        • hot-electron-transistor (THETA)
      • planar-doped-barrier transistor
        • camel transistor
        • field-effect hot-electron transistor
      • real-space-transfer transistor (RSTT),
        • negative-resistance field-effect transistor (NERFET),
        • charge-injection transistor (CHINT)
      • bipolar inversion-channel field-effect transistor (BICFET).
        • bulk-barrier transistor, bulk unipolar transistor
      • heterojunction hot-electron transistor
      • induced-base transistor
      • resonant-tunneling hot-electron transistor (RHET)
      • quantum-well-base resonant-tunneling transistor (QWBRTT)
      • Multiemitter-Transistor
      • Spacistor
      • tunnel-emitter transistor (TETRAN)
      • inversion-base bipolar transistor
        • surface-oxide transistor
      • resonant-tunneling bipolar transistor (RTBTIRBT)
    • Feldeffekttransistor (engl. field-effect transistor, FET): Transistoren, die auf einem Feldeffekt basieren
      • Feldeffekttransistor ohne isoliertes Gate (engl. non insulated gate field-effect transistor, NIGFET)
      • Isolierschicht-Feldeffekttransistor (engl. insulated gate field-effect transistor, IGFET)
      • modulation-doped field-effect transistor (MODFET),
        auch bekannt als: high-electron-mobility transistor (HEMT), two-dimensional electron-gas field-effect transistor(TEGFET), selectively-doped heterojunction transistor (SDHT) oder heterojunction field-effect transistor (HFET)
        • inverted heterojunction field-effect transistor (inverted MODFET)
        • planar-doped (delta-doped, pulse-doped) heterojunction field-effect transistor
        • single-quantum-well heterojunction field-effect transistor, double-heterojunction field-effect transistor (DHFET)
        • superlattice heterojunction field-effect transistor
        • pseudomorphic heterojunction field-effect transistor (PMHFET)
        • heterojunction insulated-gate field-effect transistor (HIGFET)
        • semiconductor-insulator-semiconductor field-effect transistor (SISFET)
        • doped-channel heterojunction field-effect transistor
      • permeable-base transistor (PBT)
      • static-induction transistor (SIT)
        • analog transistor (konzentrisch aufgebauter Transistor mit Eigenschaften ähnlich einer Elektronenröhre, siehe auch Spacitor)
        • multi-channel field-effect transistor (McFET)
        • gridistor [4]
        • bipolar-mode static-induction transistor (BSIT)
        • depleted-base transistor (DBT)
      • lateral resonant-tunneling field-effect transistor (LRTFET)[5]
      • Stark-effect transistor
      • velocity-modulation transistor (VMT).
    • Weitere Transistortypen:
  • Vierschicht-Bauelemente
  • Diac
  • Triac
  • Halbleiter mit speziellen Eigenschaften

Optoelektronische Bauelemente

(außer Photohalbleiter)

Module, Systeme

Siehe auch

  • Messgerät
  • Betriebsmittel (Elektrotechnik)
  • Liste der Schaltzeichen
  • Das Elektronik-Kompendium: Bauelemente

Einzelnachweise

  1. ↑ Peter A. Schmitt (Hrsg.): Langenscheidts Fachwörterbuch Technik und angewandte Wissenschaften. Englisch – Deutsch. 2., bearbeitete Auflage. Langenscheidt Fachverlag, Berlin [u. a.] 2004, ISBN 3-86117-227-5 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  2. ↑ Erdmann F. Schubert, Albrecht Fischer, Klaus Ploog: The delta-doped field-effect transistor (δFET). In: IEEE Transactions on Electron Devices. Bd. 33, Nr. 5, 1986, S. 625–632, doi:10.1109/T-ED.1986.22543.
  3. ↑ Kwok K. Ng: A survey of semiconductor devices. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Bd. 43, Nr. 10, 1996, S. 1760–1766, doi:10.1109/16.536822.
  4. ↑ Stanislas Teszner, R. Gicquel: Gridistor – A new field-effect device. In: Proceedings of the IEEE. Bd. 52, Nr. 12, 1964, S. 1502–1513, doi:10.1109/PROC.1964.3439.
  5. ↑ Stephen Y. Chou, James S. Harris Jr., R. Fabian W. Pease: Lateral resonant tunneling field-effect transistor. In: Applied Physics Letters. Bd. 52, Nr. 23, 1988, S. 1982–1984, doi:10.1063/1.99656.